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集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件。目前芯片市場(chǎng)需求更大,那么做集成電路芯片生產(chǎn)廠家,同時(shí)大量需求到皓天環(huán)境測(cè)試設(shè)備:高低溫試驗(yàn)箱,可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱,冷熱沖擊試驗(yàn)箱,快速溫變?cè)囼?yàn)箱..........
如何選擇集成電路芯片高低溫試驗(yàn)箱
1、芯片廠家需求多大內(nèi)容積高低溫試驗(yàn)箱;
2、設(shè)備溫度范圍
3、濕度范圍
4、集成器負(fù)載數(shù)量
高低溫試驗(yàn)箱專業(yè)廠家根據(jù)客戶要求推薦如下
1.產(chǎn)品名稱 | 高低溫試驗(yàn)箱 |
2.產(chǎn)品型號(hào) | SMC-40PF |
3.試樣限制 | 本試驗(yàn)設(shè)備禁止: ①易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存 ②腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存 ③生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存 ④強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存 |
4.容積、尺寸和重量 | |
4.1.標(biāo)稱內(nèi)容積 | 40L |
4.2.內(nèi)型尺寸 | W345*H395*D300mm |
4.3.外型尺寸 | W580*H850*D1150mm |
4.4.重量 | 約180㎏ |
5.性能
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5.1.測(cè)試環(huán)境條件 5.2.測(cè)試方法 | 環(huán)境溫度為+25℃、相對(duì)濕度≤85%、試驗(yàn)箱內(nèi)無試樣條件下 GB/T 5170.2-1996 溫度試驗(yàn)設(shè)備。 |
5.3.溫度范圍 | -40℃→+150℃(可任意設(shè)定) |
5.4.濕度范圍 | 20%RH→98%RH (可任意設(shè)定) |
5.5.溫度波動(dòng)度 | ±0.5℃ |
5.6.濕度波動(dòng)度 | ±1% |
5.7.溫度偏差 | ±1.0℃ |
5.8.濕度偏差 | ±3%RH |
5.9.升溫時(shí)間 | 升溫時(shí)間:+20℃~+150℃≤35min(非線性空載,升溫速率3~5℃) |
5.10.降溫時(shí)間 | 降溫時(shí)間:+20℃~-40℃≤55min(非線性空載,降溫速率1~1.2℃) |
5.11.負(fù)載情況 | 空載 |
5.12.滿足試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) | ①GB/T 2423.1-2006 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法 ②GB/T 2423.2-2006 試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法 ③GJB 150.3-1986 高溫試驗(yàn) ④GJB 150.4-1986 低溫試驗(yàn) ⑤IEC68-2-1 試驗(yàn)A:寒冷. ⑥GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》 ⑦GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法》. ⑧GB/T10586-89 濕熱試驗(yàn)箱條件 ⑨GT/T2423.3-93、GT/T2423.4-93 濕熱試驗(yàn)箱條件 |